-
1 ИС изготовленная с использованием эпитаксиальной технологии
Microelectronics: epitaxial integrated circuitУниверсальный русско-английский словарь > ИС изготовленная с использованием эпитаксиальной технологии
-
2 ИС, изготовленная с использованием эпитаксиальной технологии
Electronics: epitaxial integrated circuitУниверсальный русско-английский словарь > ИС, изготовленная с использованием эпитаксиальной технологии
-
3 прибор, изготовленный по эпитаксиальной технологии
Electronics: epitaxial deviceУниверсальный русско-английский словарь > прибор, изготовленный по эпитаксиальной технологии
-
4 релаксация внутренних напряжений
1) Engineering: internal stress relief (напр. в эпитаксиальной технологии)2) Makarov: internal stress relaxationУниверсальный русско-английский словарь > релаксация внутренних напряжений
-
5 релаксация
* * *релакса́ция ж.
relaxationбезызлуча́тельная релакса́ция — nonradiative relaxationрелакса́ция вну́тренних напряже́ний (напр. в эпитаксиальной технологии) — internal stress reliefдиэлектри́ческая релакса́ция — dielectric relaxationмагни́тная релакса́ция — magnetic relaxationрелакса́ция напряже́ний — stress relaxationперекрё́стная релакса́ция — cross relaxation
См. также в других словарях:
Микроэлектроника — область электроники (См. Электроника), занимающаяся созданием электронных функциональных узлов, блоков и устройств в микроминиатюрном интегральном исполнении. Возникновение М. в начале 60 х гг. 20 в. было вызвано непрерывным усложнением… … Большая советская энциклопедия
Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д … Википедия
SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
КНИ — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Кремний на сапфире — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Стабилитрон — У этого термина существуют и другие значения, см. Стабилитрон (значения) … Википедия
Источник опорного напряжения — Источник, или генератор, опорного напряжения (ИОН) базовый электронный узел, поддерживающий на своём выходе высокостабильное постоянное электрическое напряжение. ИОН применяются для задания величины выходного напряжения стабилизированных… … Википедия
Травление — в технике, растворение поверхности твёрдых тел с практической целью (в отличие от коррозии (См. Коррозия)). Различают Т. технологическое для обработки и изменения формы поверхности металлов, полупроводников, стекла, древесины и др.… … Большая советская энциклопедия
Стабилитрон со скрытой структурой — Основная статья: Стабилитрон Стабилитрон со скрытой структурой (ССС, англ. buried zener) интегральный кремниевый стабилитрон в котором, в отличие от обычных стабилитронов, под p n переходом создана скрытая область (островок) с высокой… … Википедия
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор с тремя чередующимися ПП областями электронного (м) или дырочного (р) типа проводимости, в к ром протекание рабочего тока обусловлено носителями заряда обоих знаков (электронами и дырками). Различают Б. т.п р п и р п р типа (см. рис.) … Большой энциклопедический политехнический словарь
